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Analytical model and experimental validation of critical dependency of p‑GaN gated AlGaN/GaN enhancement‑mode high electron mobility transistor characteristics on trap-assisted tunneling
p-GaN栅AlGaN/GaN增强型高电子迁移率晶体管特性对陷阱辅助隧穿临界依赖性的解析模型和实验验证
相关领域
晶体管 材料科学 量子隧道 存水弯（水管） 光电子学 宽禁带半导体 依赖关系（UML） 电子迁移率 模式（计算机接口） 感应高电子迁移率晶体管 电子 凝聚态物理 高电子迁移率晶体管 物理 电压 计算机科学 软件工程 量子力学 气象学 操作系统
网址
http://dx.doi.org/10.1063/5.0231721
DOI
10.1063/5.0231721 doi
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yup 在 2025-06-21 15:24:07 发布自安徽，悬赏 10 积分
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