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Dynamic Gate Capacitance Model for Switching Transient Analysis in P-GaN Gate HEMTs |
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期刊:2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者:Caien Sun; Zixu Niu; Shu Yang 出版日期:2023-05-28 |
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(2025-6-4)