按照文献的方法，已经长了好几个周了，温度，浓度都试过了好多了，一直都没能得到好的纳米片，有会的同学，老师能帮忙下，目前找不出问题，硅片上一直张一整层东西，不是单独的纳米片，用的石英舟。感觉自己快疯了，麻烦解答一下，感激不尽。有其他二维材料生长经验的聊天分析一下也行。
最后附上，原文献实验方案
2.2.2 实验步骤 2.2.2.1 Cr3Te4 纳米片的生长 在本文中,用于生长 Cr3Te4 纳米片的自制 APCVD 系统主要由双温区高温管式炉,石英管,气体流量计以及氩气和氢气回路组成。(CVD 系统如图 2.2 所示)。 主要的实验步骤如下: (1) 将高温管式炉与石英管组装在一起,连接流量计,氩气和氢气通道,并用 保压方法检查气路的气密性。 具体的操作方法是用压力表将管式炉通风至一定 压力,然后关闭进风口和出风口,并对管式炉进行保压实验,观察一段时间后压 力表指示器是否发生变化并检查气路的气密性。 (2) 用电子分析天平,称取氯化铬 0.03 g 以及 0.03 g 碲粉。将装有碲粉的瓷 舟放在上游的温区,将用于生长的 SiO2/Si 基底(300 nm SiO2),正面向下地斜插 在装有氯化铬的瓷舟中,放置于位于下游的第二个温区,最后封闭石英管。 (3) 打开氩气流量计,并将流量计调节至洗涤状态,以除去石英管中的残留氧 气和水蒸气。十分钟之后,关闭洗涤,将氩气流量调整为 100 sccm,然后打开氢 气,将氢气流量调整为 2 sccm。 (4) 将放置有碲粉的上游温区,升温至 650°C,设置放有基底的氯化铬温区 670°C-710°C。升温至目标温度之后,恒温五分钟,进行碲化铬纳米片的生长。 (5) 待管式炉降至室温之后,取出生长有 Cr3Te4 样品的硅片,放置在离心管 内,并于手套箱内进行真空保存。
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(2025-6-4)
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