关于LiF做为隔层的原因或者说机理

综合讨论 4690 2

JTHe 来自山西，发表于：2023-03-06 21:18:23

在10.1002/adfm.201503493

Synth. Met., 2007, 157, 640–643.

10.1039/C4TC02087A

这三篇文献中，LiF做为忆阻器中功能层和金属顶电极间的隔层，可以排除金属导电细丝参与记忆行为。LiF为什么能做为隔层？机理是什么？

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椅子

JTHe (楼主) 2023-03-07 08:11:45 发布自山西，

在水一方： LiF可以作为忆阻器中功能层和金属顶电极之间的隔层，主要是因为它具有较高的能隙和较大的电阻率，可以阻止电荷载流和禁止电子通道形成，从而实现忆阻器的记忆效应。

具体机理如下：

在忆阻器中，金属导电细丝与功能层之间的界面是一个非常关键的区域。这个界面可以看作是一个能带结构的转折点，其中导电细丝的电子态和功能层的电子态相互作用，从而在两者之间形成一个局部电子密度的峰。当施加外加电压时，由于电子通道的存在，这个电子密度峰可以通过金属导电细丝进行电荷传输，导致电流的变化，从而实现记忆效应。

而LiF的加入可以改变这个界面的能带结构，从而阻止电荷载流和禁止电子通道的形成。具体来说，LiF的加入可以引入一些空能级，从而提高这个界面区域的能隙。此外，由于LiF的电阻率较高，电子通道的形成也会受到一定的限制，从而进一步减弱电荷传输的效应。因此，LiF可以作为一个有效的隔层材料，排除金属导电细丝参与记忆行为。

总之，LiF作为忆阻器中的隔层材料，主要是通过改变金属导电细丝和功能层之间的能带结构，从而阻止电荷载流和禁止电子通道的形成，从而实现记忆效应。

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在水一方站长7 2023-03-06 21:52:01 发布自乌克兰，

LiF可以作为忆阻器中功能层和金属顶电极之间的隔层，主要是因为它具有较高的能隙和较大的电阻率，可以阻止电荷载流和禁止电子通道形成，从而实现忆阻器的记忆效应。

具体机理如下：

在忆阻器中，金属导电细丝与功能层之间的界面是一个非常关键的区域。这个界面可以看作是一个能带结构的转折点，其中导电细丝的电子态和功能层的电子态相互作用，从而在两者之间形成一个局部电子密度的峰。当施加外加电压时，由于电子通道的存在，这个电子密度峰可以通过金属导电细丝进行电荷传输，导致电流的变化，从而实现记忆效应。

而LiF的加入可以改变这个界面的能带结构，从而阻止电荷载流和禁止电子通道的形成。具体来说，LiF的加入可以引入一些空能级，从而提高这个界面区域的能隙。此外，由于LiF的电阻率较高，电子通道的形成也会受到一定的限制，从而进一步减弱电荷传输的效应。因此，LiF可以作为一个有效的隔层材料，排除金属导电细丝参与记忆行为。

总之，LiF作为忆阻器中的隔层材料，主要是通过改变金属导电细丝和功能层之间的能带结构，从而阻止电荷载流和禁止电子通道的形成，从而实现记忆效应。

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