2D Van der Waals Sliding Ferroelectrics Toward Novel Electronic Devices

铁电性 材料科学 范德瓦尔斯力 堆积 纳米技术 极化(电化学) 半导体 纳米电子学 工程物理 单层 电介质 光电子学 化学 物理 物理化学 有机化学 分子
作者
Chunyan Wang,Yaxue Zhang,Dachuan Zhang,Yu Sun,Tao Zhang,Jing Li
出处
期刊:Small [Wiley]
被引量:3
标识
DOI:10.1002/smll.202408375
摘要

Abstract Ferroelectric materials, celebrated for their switchable polarization, have undergone significant evolution since their early discovery in Rochelle salt. Initial challenges, including water solubility and brittleness, are overcome with the development of perovskite ferroelectrics, which enable the creation of stable, high‐quality thin films suitable for semiconductor applications. As the demand for miniaturization in nanoelectronics has increased, research has shifted toward low‐dimensional materials. Traditional ferroelectrics often lose their properties at the nanoscale; however, 2D van der Waals (vdW) ferroelectrics, including CuInP 2 S 6 and α‐In 2 Se 3 , have emerged as promising alternatives. The recent discovery of sliding ferroelectricity, where polarization is linked to the polar stacking configuration of originally non‐polar monolayers, has significantly broadened the scope of 2D ferroelectrics. This review offers a comprehensive examination of stacking orders in 2D vdW materials, stacking‐order‐linked ferroelectric polarization structures, and their manifestations in metallic, insulating and semiconducting 2D vdW materials. Additionally, it explores the applications of 2D vdW sliding ferroelectrics, and discusses the future prospects in nanotechnology.
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