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Modulation of Phase-Locking Characteristics of NbOx Memristor by Ag Doping

材料科学 记忆电阻器 兴奋剂 自然键轨道 调制(音乐) 相(物质) 光电子学 纳米技术 凝聚态物理 工程物理 电子工程 密度泛函理论 声学 物理 量子力学 工程类
作者
Ziao Lu,Fei Zeng,Da Ma,Qin Wan,Junwei Yu,Feng Pan
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:16 (44): 60501-60510 被引量:1
标识
DOI:10.1021/acsami.4c12956
摘要

Memristors based on niobium oxide have attracted wide interest due to their applications in artificial neural network. Phase-locking (PL) characteristics of NbOx newly explored roots in complex nonlinear dynamics and exhibits great potential in periodical signal handling because of its bioinspired nature. In this study, we fabricate a Pd/Nb/Ag-NbOx/Nb/Pd memristive structure and study the effects of Ag doping on the PL characteristics. We clearly see that the NbOx memristor responds to signal in three distinct patterns. For the low-frequency input, the memristor fires spike series and locks the phase near π2 during the positive period of sinusoidal input, and it encodes the input features by the spike number per period. For the middle-frequency input, the memristor fires one spike per period at a definite phase. The output has the same frequency as the input. The locked phase is proportional to the input frequency. For the high-frequency input, the memristor transforms high frequency to low frequency signal and locks at a definite phase higher than 2π. We combined the microstructural analysis and chaos dynamics to know that Ag doping will lower the activation energy, enhance the responding rate, and enhance thermal conductivity, which extends the locked frequency to 1.7 times the value of the undoped NbOx memristor. We also obtained the locked frequency of even 40 MHz after modulating the elementary circuit configuration according to the material modification and chaos model. Our study proposes to handle a signal with high efficiency resembling auditory sense and inspires a novel artificial intelligent computation prototype.

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