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Effects of Thin-Film Thickness on Sensing Properties of SnO2-Based Gas Sensors for the Detection of H2S Gas at ppm Levels

材料科学 溅射 薄膜 四方晶系 电极 粒度 复合材料 离子 纳米结构 分析化学(期刊) 相(物质) 纳米技术 化学 物理 有机化学 物理化学 量子力学 色谱法
作者
Seong Bin Jo,Hyun Ji Kim,Joong Hee Ahn,Byung Wook Hwang,Jeung Soo Huh,Ragupathy Dhanusuraman,Soo Chool Lee,Jae Chang Kim
出处
期刊:Journal of Nanoscience and Nanotechnology [American Scientific Publishers]
卷期号:20 (11): 7169-7174 被引量:6
标识
DOI:10.1166/jnn.2020.18854
摘要

SnO 2 thin-film gas sensors were easily created using the ion sputtering technique. The as-deposited SnO 2 thin films consist of a tetragonal SnO 2 phase and densely packed nanosized grains with diameters of approximately 20−80 nm, which are separated by microcracks. The as-deposited SnO 2 thin film is well crystallized, with a dense columnar nanostructure grown directly onto the alumina material and the Pt electrodes. The grain size and thickness of SnO 2 thin films are easily controlled by varying the sputtering time of the ion coater. The responses of the SnO 2 thin-film sensors decrease as the SnO 2 film thickness is increased, indicating that a negative association exists between the sensor response and the SnO 2 film thickness due to gas diffusion from the surface. The SnO 2 thin-film sensor, which was created by ion sputtering for 10 min, shows an excellent sensor response (R a /R g where Ra is the electric resistance under air and R g is the electric resistance under the test gas) for detecting 1 ppm H 2 S at 350°C.

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