Fractional mode charge in Cn-symmetric higher-order topological crystalline insulators

拓扑绝缘体 拓扑(电路) 拓扑量子数 拓扑序 物理 电荷(物理) 量化(信号处理) 凝聚态物理 量子力学 量子 计算机视觉 数学 计算机科学 组合数学
作者
Taotao Zheng,K.P. Hu,Yuxiang Zhou,Chudong Xu,Ming‐Hui Lu
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:134 (3) 被引量:2
标识
DOI:10.1063/5.0159253
摘要

The measurement of topological insulators is usually achieved by measuring spectra, which is inadequate in higher-order topological insulators because the separation of bandgaps may be blurred, such as body boundaries and corner state hybridization, and the above measurement requires that the energy of the topological mode must be located in the bulk bandgap to be measured. Recent experiments have shown a strong relationship between the fractional mode charge and the location of the Wannier center in the crystal body. The fractional quantization of the corner charge originates from the filling anomaly, and the fractional mode charge can be calculated from experimental measurements of the local density of states to describe the topological state of the system, which has been demonstrated in optical systems. We have achieved a similar effect in acoustics by utilizing a coupled acoustic-cavity system featuring C3, C4, and C6 symmetries for simulation. Furthermore, we extended our study to 3D third-order topological crystalline insulators to validate the fractional-corner charge approach. The simulation and theoretical results demonstrate that the fractional mode charge can clearly identify the high-order topology, even without gap states.
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