Density Functional Study to Possibility Using of Silicon Carbide (SiC) Monolayers for Removal of AsH3

材料科学 碳化硅 单层 碳化物 化学工程 纳米技术 复合材料 光电子学 工程类
作者
Rahadian Zainul,R. Bansal,Junainah Abd Hamid,Shelesh Krishna Saraswat,Luma Hussain Saleh,I. A. Ariffin,Abdul-hameed M. Hamoody,Maha Shakir,Ahmed Elawady
出处
期刊:Silicon [Springer Nature]
卷期号:16 (12): 5177-5184 被引量:1
标识
DOI:10.1007/s12633-024-03032-6
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