Memristor modeling: challenges in theories, simulations, and device variability

记忆电阻器 材料科学 统计物理学 纳米技术 工程物理 电子工程 物理 工程类
作者
Lili Gao,Qingying Ren,Jiawei Sun,Su‐Ting Han,Ye Zhou
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [Royal Society of Chemistry]
卷期号:9 (47): 16859-16884 被引量:132
标识
DOI:10.1039/d1tc04201g
摘要

The recent developments of analytical memristive mechanisms and simulation methods/tools for different structures and materials have been reviewed.
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