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物理
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作者
Xin Liu,Zhicheng Guan,Tomoaki Furusho,Kentaro Kutsukake,Shunta Harada,Toru Ujihara
出处
期刊:CrystEngComm
[Royal Society of Chemistry]
日期:2025-01-01
卷期号:27 (26): 4539-4546
被引量:5
摘要
A flatter growth interface and a more acceptable growth rate can be achieved with the imbalanced switching flow for long-term SiC crystal growth.
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