InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback lasers at 1.3 μm

材料科学 激光器 光学 光电子学 量子点 量子点激光器 波长 单模光纤 波导管 联轴节(管道) 半导体激光器理论 物理 半导体 冶金
作者
Wenfu Yu,Xuyi Zhao,Shixian Han,An-Tian Du,Ruotao Liu,Chunfang Cao,Jinyi Yan,Jin Yang,Hua Huang,Hailong Wang,Qian Gong
出处
期刊:Chinese Optics Letters [Optica Publishing Group]
卷期号:21 (1): 011402-011402 被引量:2
标识
DOI:10.3788/col202321.011402
摘要

We report the InAs/GaAs quantum dot laterally coupled distributed feedback (LC-DFB) lasers operating at room temperature in the wavelength range of 1.31 µm. First-order chromium Bragg gratings were fabricated alongside the ridge waveguide to obtain the maximum coupling coefficient with the optical field. Stable continuous-wave single-frequency operation has been achieved with output power above 5 mW/facet and side mode suppression ratio exceeding 52 dB. Moreover, a single chip integrating three LC-DFB lasers was tentatively explored. The three LC-DFB lasers on the chip can operate in single mode at room temperature, covering the wavelength span of 35.6 nm.
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