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作者
Sanguk Lee,Soyeon Kim,Joo‐Hong Lee,Ji Hyun Baek,Jin‐Wook Lee,Ho Won Jang,Nam‐Gyu Park
出处
期刊：Nano Letters
[American Chemical Society]
日期：2024-04-15
被引量：5
标识
DOI：10.1021/acs.nanolett.4c00253
摘要
Halide perovskite-based resistive switching memory (memristor) has potential in an artificial synapse. However, an abrupt switch behavior observed for a formamidinium lead triiodide (FAPbI
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