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Degradation of thermal interface materials for high-temperature power electronics applications

材料科学 堆栈(抽象数据类型) 热阻 等温过程 散热膏 降级(电信) 复合材料 热的 微观结构 箔法 热导率 焊接 电气工程 热力学 物理 工程类 程序设计语言 计算机科学
作者
Robert Skuriat,Jianfeng Li,Pearl Agyakwa,N. L. Mattey,Paul Evans,C. Mark Johnson
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:53 (12): 1933-1942 被引量:66
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2013.05.011
摘要

The specific thermal resistance values of several thermal interface materials (TIMs) intended to thermally enhance Cu contact pairs and their degradation under isothermal ageing at 170 °C have been investigated using Cu stack samples consisting of 10 Cu discs and 9 layers of the TIMs. The results obtained indicate that the specific thermal resistance values of the as-prepared Cu stack samples, one with conductive Ag thermal grease, one with Sn–3.5Ag solder joints and one with 25 μm thick Sn foil as TIMs are significantly lower than those of the Cu stack sample without any TIM. However, after the isothermal ageing at 170 °C for 90 days, the specific thermal resistance values of the samples with these TIMs are not substantially different from those of the sample without any TIM. Also reported in this paper is an estimation of testing errors for the specific thermal resistance values, microstructure characterization of the aged samples and effect of the degradation of these TIMs on the thermal performance of a high-temperature half bridge power switch module.
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