HgCdTe heteroepitaxy on three-inch (112) CdZnTe/Si: Ellipsometric control of substrate temperature

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作者
L. A. Almeida,Nibir K. Dhar,M. Martinka,J. H. Dinan
出处
期刊:Journal of Electronic Materials [Springer Science+Business Media]
卷期号:29 (6): 754-759 被引量:16
标识
DOI:10.1007/s11664-000-0220-3

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