Electronic reconstruction at the polar (111)-oriented oxide interface

材料科学 异质结 覆盖层 电子结构 氧化物 钙钛矿(结构) 外延 金属 石墨烯 极地的 凝聚态物理 化学物理 图层(电子) 纳米技术 结晶学 光电子学 化学 物理 天文 冶金
作者
Sangwoo Ryu,Hua Zhou,Tula R. Paudel,Neil Campbell,J. P. Podkaminer,Chung Wung Bark,T. Hernández,Dillon D. Fong,Yang Zhang,L. Xie,Xiaoqing Pan,Evgeny Y. Tsymbal,M. S. Rzchowski,Chang‐Beom Eom
出处
期刊:APL Materials [American Institute of Physics]
卷期号:10 (3) 被引量:5
标识
DOI:10.1063/5.0067445
摘要

Atomically flat (111) interfaces between insulating perovskite oxides provide a landscape for new electronic phenomena. For example, the graphene-like coordination between interfacial metallic ion layer pairs can lead to topologically protected states [Xiao et al., Nat. Commun. 2, 596 (2011) and A. Rüegg and G. A. Fiete, Phys. Rev. B 84, 201103 (2011)]. The metallic ion/metal oxide bilayers that comprise the unit cell of the perovskite (111) heterostructures require the interface to be polar, generating an intrinsic polar discontinuity [Chakhalian et al., Nat. Mater. 11, 92 (2012)]. Here, we investigate epitaxial heterostructures of (111)-oriented LaAlO3/SrTiO3 (LAO/STO). We find that during heterostructure growth, the LAO overlayer eliminates the structural reconstruction of the STO (111) surface with an electronic reconstruction, which determines the properties of the resulting two-dimensional conducting gas. This is confirmed by transport measurements, direct determination of the structure and atomic charge from coherent Bragg rod analysis, and theoretical calculations of electronic and structural characteristics. Interfacial behaviors of the kind discussed here may lead to new growth control parameters useful for electronic devices.

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