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作者
Xuzheng Liu,Michael Rienäcker,Mohammad Gholipoor,Lingyi Fang,Tonghan Zhao,Benjamin Hacene,Julian Petermann,Ruijun Cai,Hang Hu,Thomas Feeney,Faranak Sadegh,Paul Faßl,Renjun Guo,Uli Lemmer,Robby Peibst,Ulrich W. Paetzold
摘要
A thermal annealing treatment applied to the silicon bottom cell as well as a morphology regulation strategy of buried interface are employed to improve charge carrier management in perovskite/POLO-Si tandem solar cells, achieving a PCE of 31%.
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