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Photovoltaic effect in paraelectric BiVO4 film

材料科学 光伏系统 电介质 光电子学 开路电压 短路 电压 图层(电子) 带隙 太阳能电池 铁电性 热稳定性 电场 薄膜 工程物理 复合材料 电气工程 纳米技术 化学工程 物理 工程类 量子力学
作者
Lei Shi,Ze Li,Wenyue Zhao,Zhao Wang,Yazhou Peng,Chang Gao,Wenjing Hua,Jie Wang,Xiaoxia Yang,Weidong Fei,Yu Zhao
出处
期刊:Nano Energy [Elsevier BV]
卷期号:114: 108594-108594 被引量:14
标识
DOI:10.1016/j.nanoen.2023.108594
摘要

Photovoltaic effects of single-layer films, with simple structure and low cost, are generally found in ferroelectric films, but their applications in solar cell are restricted by the large band gap of ferroelectrics. Here, we demonstrate a large photovoltaic effect can be obtained in paraelectric single-layer BiVO4 (BVO) film based on the gradient distribution of charges. The circuit current density (JSC) and open circuit voltage (VOC) of the BVO film with best performance are 1.63 mA/cm2 and 0.38 V, respectively. The JSC of BVO film kept 86% of the maximum value after continuous operation for 16 h. The high thermal stability of BVO is proved by long time operation and stable photovoltaic performance at high temperature. This work not only proposes a novel built-in electric field mechanism, but also indicates that the single-layer paraelectrics can be used as the next generation photovoltaic materials.
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