Off-plane polarization ordering in metal chalcogen diphosphates from bulk to monolayer

单层 凝聚态物理 铁电性 硫族元素 材料科学 居里温度 极化(电化学) 反铁电性 物理 结晶学 纳米技术 化学 铁磁性 光电子学 电介质 物理化学
作者
Wenshen Song,Ruixiang Fei,Li Yang
出处
期刊:Physical review [American Physical Society]
卷期号:96 (23) 被引量:91
标识
DOI:10.1103/physrevb.96.235420
摘要

Vertically (off-plane) ferroelectric ordering in ultrathin films has been pursued for decades. We predict the existence of intrinsic vertical polarization orderings in ultrathin metal chalcogen-diphosphates (MCDs). Taking ${\mathrm{CuInP}}_{2}{\mathrm{Se}}_{6}$ as an example, the first-principles calculation and electrostatic-energy model show that, under the open-circuit boundary condition, the ground state of bulk ${\mathrm{CuInP}}_{2}{\mathrm{Se}}_{6}$ is ferroelectric (FE) while that of monolayer is antiferroelectric (AFE), and the critical thickness for this FE/AFE transition is around six layers. Interestingly, under the closed-circuit boundary condition, the FE state can hold even for monolayer. Particularly, because of the small energy difference but the large barrier between FE and AFE orderings, the FE state can be stabilized in a free-standing monolayer, giving rise to intrinsic, off-plane two-dimensional ferroelectrics. Applying Monte Carlo simulations, we further calculate the ferroelectric Curie temperature (${T}_{c}$) and electric hysteresis.
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