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作者
Johannes Müller,T. S. Böscke,Stefan Müller,Ekaterina Yurchuk,P. Polakowski,Paul Jarman,Dominik Martin,Tony Schenk,K. Khullar,Alfred Kersch,Wenke Weinreich,S. Riedel,Konrad Seidel,Amit Kumar,Thomas M. Arruda,Sergei V. Kalinin,T. Schlösser,Roman Boschke,Ralf van Bentum,U. Schröder
标识
DOI：10.1109/iedm.2013.6724605
摘要
With the ability to engineer ferroelectricity in HfO 2 thin films, manufacturable and highly scaled MFM capacitors and MFIS-FETs can be implemented into a CMOS-environment. NVM properties of the resulting devices are discussed and contrasted to existing perovskite based FRAM.
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