Control of 4H polytype of SiC crystals by moving up the crucible to adjust the temperature field of the growth interface

坩埚(大地测量学) 接口(物质) 材料科学 领域(数学) 控制(管理) 结晶学 复合材料 化学 计算机科学 数学 计算化学 纯数学 毛细管数 毛细管作用 人工智能
作者
Pan Gao,Jun Xin,Xue‐Chao Liu,Yanqing Zheng,Er‐Wei Shi
出处
期刊:CrystEngComm [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:21 (45): 6964-6968 被引量:20
标识
DOI:10.1039/c9ce01363f
摘要

It is difficult to control the 4H polytype in the growth of SiC single crystals by the PVT method.
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