磁阻随机存取存储器
随机存取存储器
磁电阻
辐射
随机存取
事件（粒子物理）
材料科学
光电子学
计算机科学
物理
光学
计算机硬件
操作系统
磁场
量子力学
作者
D.N. Nguyen,Farokh Irom
标识
DOI：10.1109/radecs.2007.5205554
摘要
We report on SEL and TID tests of a magnetoresistive random access memory (MRAM). Single event latch-up was observed with a static configuration. Insitu irradiations were used to characterize the response of the total accumulated dose failures.
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