The importance of nucleation layer for the GaN N-face purity on the annealed Al2O3 layers deposited by atomic layer deposition

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作者
M. Kolenda,A. Kadys,T. Malinauskas,Edvinas Radiunas,Riina Ritasalo,R. Tomašiūnas
出处
期刊:Materials Science And Engineering: B [Elsevier BV]
卷期号:284: 115850-115850 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.mseb.2022.115850

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