Design and Simulation of Symmetrical Dual Gate on Drain Side with Overlapped and Underlapped Regions of TFET

材料科学 光电子学 晶体管 隧道场效应晶体管 栅氧化层 金属浇口 场效应晶体管 纳米技术 电气工程 电压 工程类
作者
Tallapaneni Naga Swathi,V. Megala
出处
期刊:Silicon [Springer Science+Business Media]
卷期号:15 (1): 337-343 被引量:3
标识
DOI:10.1007/s12633-022-01809-1
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