Behaviour of 1.2 kV SiC JBS diodes under repetitive high power stress

作者
V. Banu,Pierre Brosselard,X. Jordà,J. Montserrat,Philippe Godignon,J. Millán
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:48 (8-9): 1444-1448 被引量:18
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2008.07.054

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