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出处
期刊:Journal de physique. Colloque
[EDP Sciences]
日期:1983-09-01
卷期号:44 (C4): C4-74
被引量:2
标识
DOI:10.1051/jphyscol:1983408
摘要
Different approximations for the line tension of dislocation bends in silicon are discussed and compared with experimental results obtained for low stress and high stress deformation.
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