Valence band density of states of amorphous and trigonal selenium determined by X-ray and U.V. photoemission

The densities of states of the entire valence bands of amoprhous and trigonal selenium have been measured by X-ray (hv = 1486.6 eV) and u.v. (hv = 21.2 eV) photoemission. It is found that the primary differences in the density of states of the two forms occurs in the p-like valence bands, in particular the lower bonding set. The density of states calculated by Kramer et al. for the amorphous form is shown to be in better agreement with the experimental density of states of the trigonal form than with that of the amorphous form. Es wurden die elektronischen Zustandsdichten der gesamten Valenzbänder des amorphen und kristallinen Selens mittels Röntgen - 1486.6 eV) und UV - (21.2 eV) Photoemission gemession gemmesen. Die Hauptunterschiede zwischen den Zustandsdichten beider Modifikationen beschänken sich auf oberen p-Bänder. Die von Kramer und Mitarbeitern gerechnete Zustandsdichte des amorphen Se stimmt besser mit den Messungen der kristallinen Form als mit denen der amorphen Modifikation überein.