Analysis of Electrical Parameters in High-K Spacer GaN-based SOI TG FinFET

绝缘体上的硅 材料科学 光电子学 宽禁带半导体 MOSFET 工程物理 电气工程 晶体管 物理 工程类 电压
作者
Sneha Singh,Rudra Sankar Dhar
标识
DOI:10.1109/ciacon65473.2025.11189731
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