High‐Performance NIR Emission in Chromium‐Doped Garnet Phosphors Enabled by Structure and Excitation Regulation

荧光粉 材料科学 量子效率 发光 发光二极管 激发 光电子学 兴奋剂 热稳定性 二极管 分析化学(期刊) 化学 物理 色谱法 量子力学 有机化学
作者
Zhuowei Li,Ge Zhu,Shanshan Li,Wen Xu,Qingfeng Bian,Cong Yan,Ming He,Xixian Luo,Shuangyu Xin,Bin Dong
出处
期刊:Laser & Photonics Reviews [Wiley]
卷期号:18 (1) 被引量:53
标识
DOI:10.1002/lpor.202300732
摘要

Abstract The burgeoning phosphor‐converted near‐infrared light‐emitting diodes (pc‐NIR LEDs) have important applications in special illumination and spectroscopy analysis. However, the development of efficient NIR‐emitting phosphors with high performance is still a challenge. In this work, a chemical unit co‐substitution strategy is proposed to realize the excitation transition regulation and successfully achieve high‐performance NIR luminescence in Ca 3‐ y Na y Mg 1‐ y Sb 2‐ x Al 2+ y O 12 : x Cr 3+ (0 ≤ x ≤ 0.05, 0 ≤ y ≤ 1) garnet‐type solid solution phosphors. Through the excitation transition modulation from the 4 A 2 ground state to the 4 T 1 ( 4 P) and 4 T 1 ( 4 F) excitation state, the excitation intensity at the blue light region is largely enhanced by 25.6 times. Moreover, the NIR‐emitting efficiency and thermal stability are improved, with the optimal luminescence internal quantum efficiency of 90.6% and thermal stability of 97%@423 K, without any flux‐assisted sintering or reduction atmosphere protection. The structure regulation induced small Stokes shift, weak electron‐phonon coupling effect, and decreased non‐radiative transition are responsible for the excellent NIR‐emitting performance. Finally, the NIR pc‐LED is fabricated with photoelectric efficiencies of 18.7%@100 mA and NIR output powers of 63 mW@100 mA, presenting potential applications in nondestructive internal defect detection, veins imaging, and night vision surveillance.
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