非阻塞I/O
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作者
Jian-Sian Li,Chao-Ching Chiang,Xinyi Xia,Hsiao-Hsuan Wan,F. Ren,S. J. Pearton
摘要
NiO/Ga 2 O 3 heterojunction rectifiers were measured over a temperature range up to 600 K and found to exhibit a near-temperature independent breakdown voltage of >7 kV, far in excess of previous Schottky rectifier results.
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