Imperfect Oriented Attachment: Dislocation Generation in Defect-Free Nanocrystals

方向错误 位错 结晶学 材料科学 纳米晶 纳米晶材料 螺旋(铁路) 凝聚态物理 化学物理 部分位错 纳米技术 化学 微观结构 复合材料 晶界 物理 数学 数学分析
作者
R. Lee Penn,Jillian F. Banfield
出处
期刊:Science [American Association for the Advancement of Science]
卷期号:281 (5379): 969-971 被引量:2408
标识
DOI:10.1126/science.281.5379.969
摘要

Dislocations are common defects in solids, yet all crystals begin as dislocation-free nuclei. The mechanisms by which dislocations form during early growth are poorly understood. When nanocrystalline materials grow by oriented attachment at crystallographically specific surfaces and there is a small misorientation at the interface, dislocations result. Spiral growth at two or more closely spaced screw dislocations provides a mechanism for generating complex polytypic and polymorphic structures. These results are of fundamental importance to understanding crystal growth.
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