Negative anisotropic magnetoresistance resulting from minority spin transport in NixFe4−xN (x = 1 and 3) epitaxial films

凝聚态物理 磁电阻 磁化 四方晶系 各向异性 居里温度 大气温度范围 散射 化学 材料科学 晶体结构 铁磁性 磁场 物理 结晶学 光学 气象学 量子力学
作者
Fumiya Takata,Kazuki Kabara,Keita Ito,Masakiyo Tsunoda,Takashi Suemasu
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:121 (2) 被引量:24
标识
DOI:10.1063/1.4974002
摘要

We grew 50 nm-thick NixFe4−xN (x = 1 and 3) epitaxial films on a SrTiO3(001) single-crystal substrate by molecular beam epitaxy and measured their anisotropic magnetoresistance (AMR) ratios rAMR in the temperature range of 5–300 K with current directions set along either NixFe4−xN [100] or [110]. A negative rAMR was obtained up to 200 K or higher. Their magnitude |rAMR| increased with decreasing temperature. From the negative AMR effect and the negative spin-polarization of density of states for NixFe4−xN at the Fermi level, it can be stated that the minority spin transport is dominant in NixFe4−xN, similar to Fe4N and Co3FeN. The rAMR depends on the current direction that arises from the current direction dependence of s-d scattering. In the case of Ni3FeN, the rAMR decreased to nearly zero at 260 K. This temperature agreed well with the Curie temperature determined from the temperature dependence of magnetization. The AMR curves were reproduced well by using both cos2ϕ and cos4ϕ components below 100 K, whereas a cos2ϕ component was enough to fit those obtained above 100 K. It is assumed that the tetragonal crystal field was enhanced at low temperatures (<100 K) similar to Fe4N (<50 K).

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