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作者
W. D. Li,Dan Liu,Yang Song,Shaoyi Jiang,Xuechao Liu,Yufeng Xue,Jianchao Gong,Ling Du,Mingao Ding,Ying Wang,Shaolong He,Min Jin,Lianyi Xu,R.G. Li,Pan Gao
出处
期刊：CrystEngComm
[Royal Society of Chemistry]
日期：2026-01-01
卷期号：28 (14): 2164-2172
被引量：2
摘要
Silicon carbide (SiC) has been widely adopted in power electronics and radio frequency devices owing to its excellent physical properties.
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