The Effect of Bias Stress on the Performance of Amorphous InAlZnO-Based Thin Film Transistors

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作者
Mingyuan Liu,Fei Qin,Molly Rothschild,Yuxuan Zhang,Dong-Hun Lee,Kwangsoo No,Han Ho Song,Sunghwan Lee
出处
期刊:Journal of Electronic Materials [Springer Science+Business Media]
卷期号:51 (4): 1813-1819 被引量:1
标识
DOI:10.1007/s11664-022-09453-6

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