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66‐2: Invited Paper: Research and Application of Dark State Structure at Splicing Seam of Micro‐LED

RNA剪接 纳米技术 工程类 材料科学 工程物理 物理 化学 基因 生物化学 核糖核酸
作者
W.W. Zhang,Xiaolong Zhang,Yingmei Feng,Jinghong Li,Yongxin Cui,Jiye Xia,Xuan Cao
出处
期刊:Sid's Digest Of Technical Papers [Wiley]
卷期号:56 (S1): 583-585
标识
DOI:10.1002/sdtp.18871
摘要

Micro‐LED has become the darling of the highly anticipated new generation display technology, leading the visual revolution due to its high luminous brightness, resolution, and color saturation, low power consumption, and long service life. It has broad application prospects in fields such as car displays, large‐sized splicing, VR/AR, etc. For large‐size splicing display, Micro‐LED splicing screen adopts independent package to replace the film package of traditional splicing screen, which can reduce the splicing seam from 2 mm to less than 100 um. Meanwhile, compared with the COB splicing products, TFT‐based Micro‐LED uses glass with higher flatness, which can further reduce the splicing gap to less than 20 um. The invisibility of the splice has always been an important goal in the development of Micro‐LED splice screens. However, current splicers are unable to achieve true dark state splices, which are visually invisible due to the dark state colour difference. In this paper, by optimising the colour structure of the splice screen body and the design of the optical modulation layer, the dark state effect at the dark state splice seam can be adjusted so that the colour difference at the dark state splice seam can be reduced by less than 20%, thus achieving the effect of dark state integration.
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