材料科学
光电子学
砷化镓
计算机科学
工程物理
物理
出处
期刊:The Journal of the Institute of Television Engineers of Japan
[The Institute of Image Information and Television Engineers]
日期:1987-01-01
卷期号:41 (7): 628-635
标识
DOI:10.3169/itej1978.41.628
摘要
超高速・超高周波信号処理用デバイスとして, GaAsデバイスは, ますます期待されている.ここではまず, 小・中規模のものから実用化が進んでいるGb/s以上のGaAsディジタルLSIとマイクロ波モノリシックICの現状と将来の展望について述べる.さらに, 高性能化をめざして活発に研究されているへテロ接合デバイスや超格子デバイスなどの新しいGaAs系デバイスの研究動向も紹介する.
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