Controlled synthesis of large-area MoS2/MoO2 heterostructure via one-step, two-stage chemical vapor deposition for electrocatalytic hydrogen evolution reaction

化学气相沉积 异质结 材料科学 化学反应 阶段(地层学) 无机化学 沉积(地质) 化学工程 化学 光电子学 有机化学 沉积物 生物 工程类 古生物学
作者
Shiwei Zhang,Zhiwei Zhang,Yulong Hao,Anan Peng,Jie Zhou,Jin Li,Guolin Hao
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:127 (8)
标识
DOI:10.1063/5.0286958
摘要

Two-dimensional (2D) materials and heterostructures with tunable dimensions present exciting opportunities for functional applications in next-generation devices. However, conventional methods such as two-step chemical vapor deposition (CVD) or mechanical exfoliation for constructing heterostructures often encounter issues such as interfacial contamination and limited structural diversity, making it difficult to meet the demands of diverse applications. Herein, we present a one-step, two-stage CVD strategy that enables the controllable synthesis of high-quality, large-area MoS2/MoO2 heterostructures. By precisely regulating the concentration of the metal source precursor, the MoS2/MoO2 heterostructure structures can be effectively extended to different dimensions, including 2D/0D, 2D/1D, and 2D/2D. Furthermore, this synthesis strategy exhibits excellent universality, as demonstrated by its application to the MoSe2/MoO2 heterostructure system. Compared to individual MoS2 and MoO2, the MoS2/MoO2 heterostructure demonstrates significantly enhanced electrocatalytic hydrogen evolution performance. Kelvin probe force microscopy further confirms the existence of a Schottky barrier height at the MoS2/MoO2 interface, which effectively facilitates interfacial charge transfer. This work demonstrates a simple and efficient strategy for fabricating multidimensional heterostructures, providing important experimental support for future functional devices based on heterostructure materials.
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