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作者
Xiong Wang,Xi-Kun Cai,Zijian Yuan,Zhu Xiaming,Qiu Dong-Jiang,Huizhen Wu
出处
期刊：Chinese Physics
[Science Press]
日期：2011-01-01
卷期号：60 (3): 037305-037305
被引量：6
标识
DOI：10.7498/aps.60.037305
摘要
Thin film transistors with zinc tin oxide as the active channel layer were fabricated on ITO glass by rf magnetron sputtering. SiO2 gate dielectric was grown using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). These devices operate with a maximum field effect mobility of 9.1 cm2/V ·s, threshold voltage of -2 V, and current on/off ratio of 104.
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