Influence des défauts de surface sur le comportement des MESFET GaAs

2014 L'étude de la fiabilité de MESFET GaAs passivés avec une couche de silice nous a permis de mettre en évidence un phénomène parasite associé aux dégradations des performances hyperfréquences.Ce phénomène apparaît sur le réseau de caractéristiques IDS(VDS) sous la forme d'un coude du courant en régime de saturation.Ce phénomène s'accentue avec le vieillissement du transistor et nous montrons qu'il peut être lié au comportement de la surface de GaAs.Une simulation numérique nous a permis d'interpréter ce phénomène par la présence d'états de surface dans les zones d'accès de ces transistors.Abstract.2014 Reliability studies of SiO2 passivated GaAs MESFET have revealed an anomalous phenomena asso- ciated with the degradation of high frequencies performances.This phenomena appears on the current-voltage characteristics which exhibit a « kink » when devices are operating in the saturation region.This kink increases when the devices are submitted to life tests, and we have found it is related to the surface of GaAs.A model is proposed to explain these anormal IDS(VDS) characteristics : it is based on the existence of surface states present between gate and drain and gate and source.