Enhanced current rectification and self-powered photoresponse in multilayer p-MoTe2/n-MoS2 van der Waals heterojunctions

异质结 整改 材料科学 光电子学 范德瓦尔斯力 电流(流体) 纳米技术 电压 物理 分子 量子力学 热力学
作者
Bin Wang,Shengxue Yang,Cong Wang,Minghui Wu,Li Huang,Qian Liu,Chengbao Jiang
出处
期刊:Nanoscale [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:9 (30): 10733-10740 被引量:84
标识
DOI:10.1039/c7nr03445h
摘要

The vertically stacked MoTe2/MoS2 p–n heterojunctions have excellent electronic and optoelectronic characteristics with a type-II band alignment.
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