异质结
整改
材料科学
光电子学
范德瓦尔斯力
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纳米技术
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物理
分子
量子力学
热力学
作者
Bin Wang,Shengxue Yang,Cong Wang,Minghui Wu,Li Huang,Qian Liu,Chengbao Jiang
出处
期刊:Nanoscale
[Royal Society of Chemistry]
日期:2017-01-01
卷期号:9 (30): 10733-10740
被引量:82
摘要
The vertically stacked MoTe2/MoS2 p–n heterojunctions have excellent electronic and optoelectronic characteristics with a type-II band alignment.
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