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Demonstration of Schottky barrier diode integrated in 200 V power p-GaN HEMTs technology with robust stability

肖特基势垒 光电子学 肖特基二极管 材料科学 二极管 氮化镓 功率（物理） 理论（学习稳定性） 电气工程 工程类 物理 纳米技术 计算机科学 图层（电子） 量子力学 机器学习
作者
Jethro Oroceo Gallardo,Sachidananda Dash,Thanh Nga Tran,Zhen-Hong Huang,Shun‐Wei Tang,D. Wellekens,Benoit Bakeroot,Olga Syshchyk,Brice De Jaeger,Stefaan Decoutere,Tian‐Li Wu
出处
期刊：Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
日期：2022-05-28 卷期号：134: 114568-114568 被引量：2
标识
DOI：10.1016/j.microrel.2022.114568
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