Progress of fabrication and surface modification of 2D black phosphorus

作为二维材料的典型代 表, 石墨烯的研发获得了2010年诺贝尔物理学奖, 在 电池、可穿戴设备、冷凝器等方面的应用已步入产业 化阶段.虽然石墨烯的电子迁移率高达10 6 cm 2 /(V s) [3] , 但是它本身没有带隙, 无法实现半导体的逻辑 开关, 限制了它在半导体工业和光学器件等领域的 应用.另一种二维材料--过渡态金属的二硫化物 (transition metal dichalcogenides, TMDs, 分子式MX 2 , M=Mo, W, Nb, Ta; X=S, Se, Te等)是一种典型的半导 体材料.以MoS 2 为例, 块体是间接带隙半导体(带隙 值1.2 eV), 单原子层为直接带隙半导体(带隙值1.9 eV), 但其电子迁移率过低, 仅为10 2 cm 2 /(V