Effects of Current Commutation Methods on SiC MOSFET and Si IGBT based 4-Quadrant Switches

绝缘栅双极晶体管 减刑 MOSFET 电流(流体) 象限(腹部) 碳化硅 电气工程 材料科学 光电子学 电子工程 电压 晶体管 工程类 复合材料 医学 病理
作者
Nishant Anurag,Shabari Nath
出处
期刊:IEEE Access [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-1
标识
DOI:10.1109/access.2025.3553555

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