A first-principles study of HfB2 anisotropic surface stability and its oxygen adsorption behavior

吸附 氧气 分子 材料科学 密度泛函理论 共价键 化学物理 离子键合 各向异性 结晶学 计算化学 物理化学 化学 离子 物理 有机化学 量子力学
作者
Cheng Gong,Shengzhu Cao,Zhenzhen Zhang,Yuqing Xiong,Hui Zhou,Yanchun He,Kaifeng Zhang,Hengjiao Gao
出处
期刊:Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering [IOP Publishing]
卷期号:32 (5): 055002-055002
标识
DOI:10.1088/1361-651x/ad3cfe
摘要

Abstract In this work, the HfB 2 anisotropic surface stability, and the adsorption behavior of oxygen molecule on the most likely exposed HfB 2 surface were investigated based on density functional theory. The study found that the HfB 2 (0001) surface terminated by Hf (labeled as: Hf-(0001)) is more stable, and more likely interact with oxygen. By rotating the oxygen molecule orientation and changing the adsorption site, all possible high and low-symmetry adsorption configurations are considered. The results show that the low symmetry structure is unstable, and eventually turn into the high symmetry ones. For the highly symmetric structures, oxygen molecule tends to be adsorbed in parallel, and the dissociated oxygen molecule tends to be located at the bridge and hollow site of the Hf-(0001) surface, and there is no energy barrier to this process. Charge density difference and partial density of states proved that oxygen absorbed structures present similar electronic interaction characteristics, and oxygen adsorption process mainly affects the Hf atom at the outmost layer of the Hf-(0001) plane. Oxygen atoms bind to the Hf-(0001) surface mainly in the form of ionic bonds and covalent bonds, originating from the orbital hybridization of O- p and Hf- d . The oxidation of HfB 2 starts from the interaction between oxygen and Hf.
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