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Quantification of coverage, uniformity and residues for CVD monolayer graphene transfer process based on image analysis

石墨烯 聚二甲基硅氧烷 材料科学 基质(水族馆) 箔法 拉曼光谱 单层 热传递 纳米技术 光电子学 光学 复合材料 图层(电子) 海洋学 物理 地质学
作者
Kevin Ballestas,Juan D. Zapata,Daniel Ramírez
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier BV]
卷期号:638: 158074-158074 被引量:6
标识
DOI:10.1016/j.apsusc.2023.158074
摘要

The use of CVD-grown graphene requires a transfer method to transport this material from the metal foil on top of which it is grown onto a target substrate. In many cases this transfer changes its properties, leading to variations from one zone of the target substrate to another. Here we present a simple semi-automatic method for a quantitative study of the coverage, uniformity and residues of graphene transferred onto Si/SiO2 substrates whose operation is not dependent on costly equipment, making it low-cost oriented. The method can be extrapolated to different target substrates, e.g., ITO-coated glass, and serves as an evaluation tool for graphene transfer processes. This is achieved by calculating a figure of merit, based on 2 proposed quantitative parameters (accounting for the coverage and the uniformity of the transferred graphene), while simultaneously determining the residues left by the transfer substrate using MATLAB-based image analysis of optical microscopy images. To corroborate the proposed method, a comparison between polydimethylsiloxane (PDMS), thermal release tape- (TRT) and polymethylmethacrylate- (PMMA) assisted transfer processes is performed, demonstrating that the methodology is valid for all cases. Coverages over 80 % are obtained, being in good agreement with results from the same transfer processes studied via Raman mapping.
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