Emergent topological superconductivity in Bi-intercalated van der Waals layered SiTe2

范德瓦尔斯力 超导电性 插层(化学) 物理 单层 拓扑(电路) 凝聚态物理 石墨烯 拓扑绝缘体 材料科学 纳米技术 量子力学 组合数学 分子 数学
作者
Zhen Zhang,Jing‐Yang You,Bo Gu,Gang Su
出处
期刊:Physical review [American Physical Society]
卷期号:106 (17) 被引量:5
标识
DOI:10.1103/physrevb.106.174519
摘要

Van der Waals (vdW) layered materials have attracted extensive attention and become a platform for investigating various exotic physical properties of interest. Considering experimentally synthesized vdW layered ${\mathrm{SiTe}}_{2}$ and monolayer Bi, here we propose a feasible way to obtain topological superconductivity by intercalating monolayer Bi into the bulk ${\mathrm{SiTe}}_{2}$. Using Allen-Dynes-modified McMillan equation based on the first principles calculations, we predict the bulk ${\mathrm{SiTe}}_{2}$ to be a superconductor with superconducting transition temperature ${\mathrm{T}}_{C}$ of about 2.9 K, which could be effectively modulated by hydrostatic and uniaxial pressures. Intercalating a two-dimensional topological insulator Bi into the bulk ${\mathrm{SiTe}}_{2}$, we find that the system exhibits both superconductivity with ${\mathrm{T}}_{C}$ of about 1.7 K and topological surface states near the Fermi energy. In addition, the ${\mathrm{T}}_{C}$ of ${\mathrm{SiTe}}_{2}$ monolayer remains almost intact when exfoliated from its bulk. Our work paves a new way to realize topological superconductivity by intercalating topological matter into vdW layered materials.

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