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作者
Zixuan Lu,Yu Wu,Yuanfeng Xu,Congcong Ma,Y. Chen,Ke Xu,Hao Zhang,Heyuan Zhu,Z. Fang
出处
期刊:Nanoscale
[Royal Society of Chemistry]
日期:2019-01-01
卷期号:11 (43): 20620-20629
被引量:31
摘要
The monolayer Bi2TeSe2 possesses the highest electron mobility among Bi2Se3/Bi2Te3-based compounds, which can be optimized to 20 678 cm2 V−1 s−1 by strain-engineering.
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