Polarization Reversal Characteristics in Capacitors with a Metal/Insulator/Ferroelectric/Metal Structure

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作者
Sheik Abdur Rahman,Muhammad Saqib,Shenawar Ali Khan,Hafiz Mohammad Mutee Ur Rehman,Woo Young Kim
出处
期刊:Journal of Nanoscience and Nanotechnology [American Scientific Publishers]
卷期号:21 (9): 4911-4915
标识
DOI:10.1166/jnn.2021.19276
摘要

A metal/insulator/ferroelectric/metal structure was fabricated using a covering of approximately 10 nm thick of an insulating polystyrene film on a ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) film. To fabricate several samples, the thickness of the ferroelectric film was held constant while the thickness of the insulating film was varied from 8 to 24 nm. The polarization– voltage relationships were measured to extract the main parameters, in this case the remanent polarization, depolarization, coercive voltage and biased voltage values. As the insulating film becomes thicker, the remanent polarization and coercive voltage values tended to increase. On the other hand, depolarization and biased voltage values decreased. By analyzing the above mentioned parameters, a certain optimum insulator thickness could be predicted. This work shows that metal/insulator/ferroelectric/metal devices are more useful than metal/ferroelectric/metal capacitors.

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