Electronic, optical, and thermoelectric properties of Janus In-based monochalcogenides.

塞贝克系数 光电子学 带隙 声子 兴奋剂
作者
Tuan V. Vu,Vo T.T. Vi,Huynh V. Phuc,Chuong V. Nguyen,Nikolai A. Poklonski,C.A. Duque,D. P. Rai,Bui D. Hoi,Nguyen N. Hieu
出处
期刊:Journal of Physics: Condensed Matter [IOP Publishing]
卷期号:33 (22): 225503- 被引量:7
标识
DOI:10.1088/1361-648x/abf381
摘要

Inspired by the successfully experimental synthesis of Janus structures recently, we systematically study the electronic, optical, and electronic transport properties of Janus monolayers In$_2$XY (X/Y = S,~Se,~Te with X $\neq$ Y) in the presence of a biaxial strain and electric field using density functional theory. Monolayers In$_2$XY are dynamically and thermally stable at room temperature. At equilibrium, both In$_2$STe and In$_2$SeTe are direct semiconductors while In$_2$SSe exhibits an indirect semiconducting behavior. The strain significantly alters the electronic structure of In$_2$XY and their photocatalytic activity. Besides, the indirect--direct gap transitions can be found due to applied strain. The effect of the electric field on optical properties of In$_2$XY is negligible. Meanwhile, the optical absorbance intensity of the Janus In$_2$XY monolayers is remarkably increased by compressive strain. Also, In$_2$XY monolayers exhibit very low lattice thermal conductivities resulting in a high figure of merit $ZT$, which makes them potential candidates for room-temperature thermoelectric materials.
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