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Van der Waals Epitaxial Growth of 2D Metallic Vanadium Diselenide Single Crystals and their Extra‐High Electrical Conductivity

材料科学 二硒醚 外延 范德瓦尔斯力 二硒化钨 金属 电阻率和电导率 电导率 凝聚态物理 纳米技术 结晶学 过渡金属 物理化学 冶金 催化作用 分子 有机化学 电气工程 化学 物理 图层(电子) 工程类
作者
Zhepeng Zhang,Jingjing Niu,Pengfei Yang,Yue Gong,Qingqing Ji,Jianping Shi,Qiyi Fang,Shaolong Jiang,He Li,Xiebo Zhou,Lin Gu,Xiaosong Wu,Yanfeng Zhang
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:29 (37) 被引量:236
标识
DOI:10.1002/adma.201702359
摘要

2D metallic transition-metal dichalcogenides (MTMDs) have recently emerged as a new class of materials for the engineering of novel electronic phases, 2D superconductors, magnets, as well as novel electronic applications. However, the mechanical exfoliation route is predominantly used to obtain such metallic 2D flakes, but the batch production remains challenging. Herein, the van der Waals epitaxial growth of monocrystalline, 1T-phase, few-layer metallic VSe2 nanosheets on an atomically flat mica substrate via a "one-step" chemical vapor deposition method is reported. The thickness of the VSe2 nanosheets is precisely tuned from several nanometers to several tenths of nanometers. More significantly, the 2D VSe2 single crystals are found to present an excellent metallic feature, as evidenced by the extra-high electrical conductivity of up to 106 S m-1 , 1-4 orders of magnitude higher than that of various conductive 2D materials. The thickness-dependent charge-density-wave phase transitions are also examined through low-temperature transport measurements, which reveal that the synthesized 2D metallic 1T-VSe2 nanosheets should serve as good research platforms for the detecting novel many-body states. These results open a new path for the synthesis and property investigations of nanoscale-thickness 2D MTMDs crystals.
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